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유동층 반응기에서 CF4 플라즈마에 의한 HDPE 표면개질방법

구봉88 2020. 4. 14. 07:19

유동층 반응기에서 CF4 플라즈마에 의한 HDPE 표면개질방법

특허출원번호

1020170004135

출원일자

2017.01.11

등록번호

 

등록일자

 

공개번호

10-2018-0082795

공개일자

2018.07.19

IPC

C08J 3/28 (2006.01.01);B01J 19/08 (2015.01.01);B01J 8/18 (2006.01.01);C08L 23/06 (2006.01.01)

발명자

박성희

출원인

우석대학교 산학협력단

등록권자

 

초록

본 발명은 유동층 반응기에서 HDPE 표면을 개질하는 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 벌크의 물성을 변화시키지 않으면서, 분말의 표면만을 개질하여 테프론과 유사한 표면 불소원자 농도가 55 내지 62원자%로 갖는, CH4 플라즈마를 이용한 고밀도 폴리에틸렌(HDPE) 고분자 분말의 표면 처리 방법에 관한 것이다.이때 rf 전력발생기에 의해서 상기 유동층 반응기에 적용되는 전력은 50W 내지 200W인 것이 바람직하며, 또한 HDPE 분말에 대한, 글로우 방전에 의해서 플라즈마화된 CH4에 의한 처리시간은 120분 내지 180분인 것이 바람직하다.

영문초록
Korean Patent Abstract

This abstract is currently in preparation

청구

1. 유동층 반응기에서 HDPE 표면을 개질하는 방법에 있어서,(a) HDPE 분말을 He 가스로 희석된 CH4 가스를 함유하는 도입가스에 의해서 유동화되는 단계;(b) 유동층 반응기에 rf전력 발생기에 의해서 글로우 방전을 적용하는 단계; 를 포함하는 HDPE 표면을 개질하는 방법.

 

 

1. 상기기술과  관련된  기술 명칭

 

[우석대학교] 질소 도핑된 그래핀 입자 및 이의 제조방법

 

[우석대학교] 수소로 표면 개질된 그래핀 입자 및 이의 표면 개질방법

[우석대학교] 불소로 표면 개질된 그래핀 입자 및 이의 표면 개질방법

[우석대학교] 감압 상태 순환유동층 반응기에서 플라즈마 그래프팅에 의한 미세입자 표면 개질

[우석대학교] 유동층 반응기에서 산소 플라즈마에 의한 HDPE 표면개질방법

 

 

2. 상기 자료의 특허 원문자료


[특허자료]우석대유동층 반응기에서 CF4 플라즈마에 의한 HDPE 표면개질방법.pdf


[특허자료]우석대유동층 반응기에서 CF4 플라즈마에 의한 HDPE 표면개질방법.pdf
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